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NTD4865N
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
1200
1050
900
750
C iss
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
12
10
8
Q T
V GS
600
6
450
C oss
4
Q 1
Q 2
300
150
0
0
C rss
5
10
15
20
2
0
0
2
4
6
8
10
12
I D = 30 A
V DD = 15 V
T J = 25 ° C
14 16
18
1000
DRAIN--TO--SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 7. Capacitance Variation
30
Q G , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate--To--Source and Drain--To--Source
Voltage vs. Total Charge
100
V DD = 15 V
I D = 30 A
V GS = 11.5 V
25
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
20
10
1
t r
t d(off)
t d(on)
t f
15
10
5
0.1
1
10
100
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1000
R G , GATE RESISTANCE (OHMS)
Figure 9. Resistive Switching Time
Variation vs. Gate Resistance
60
V SD , SOURCE--TO--DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
I D = 10 A
50
100
10 m s
40
10
1
V GS = 20 V
SINGLE PULSE
T C = 25 ° C
R DS(on) LIMIT
THERMAL LIMIT
100 m s
1 ms
10 ms
dc
30
20
10
25
0.1
0.1
PACKAGE LIMIT
1
10
100
0
50
75
100
125
150
175
V DS , DRAIN--TO--SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
http://onsemi.com
5
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 12. Maximum Avalanche Energy vs.
Starting Junction Temperature
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